晶振導讀：大家都知道電容的基本功能是充放電。晶體振蕩時的負載電容與晶體振蕩的關系是什么？
晶體振蕩器的匹配電容又稱負載電容。負載電容是指晶體振蕩器的兩根引線與集成電路塊內(nèi)的有效電容相連接的總和。晶體振蕩器外部連接所需的電容也是晶體振蕩器兩端等效電容（電路間分布電容）等于負載電容。負載是晶體振蕩的電容。此時，電容作用明顯，充電和晶體振蕩。振動。負載電容是決定晶體振蕩器能否在產(chǎn)品中正常工作的重要因素。
如果工程師選擇了晶體振蕩器，較好按照采購說明書中的重要參數(shù)，如負載電容等。在選擇晶體振蕩器的過程中，采購將減少許多類型的迂回。如果不能確定晶體振蕩器的負載，電容很難匹配，啟動電容不能充放電，晶體振蕩器不能啟動。當分布電容和晶體振蕩器電容相等時，晶體振蕩器可以發(fā)出諧振頻率。電容越小，價格越高。所以這個負載也決定了晶體振蕩器本身的價格。
晶振與電阻到底有什么樣地關系？
1、配合集成電路內(nèi)部電路形成負反饋和相移，使放大器在線性區(qū)工作。
晶體振蕩器輸入輸出連接的電阻功能是產(chǎn)生負反饋，以確保放大器在高增益的線性區(qū)工作，并限制電流，從而防止晶體振蕩器被反向器的輸出驅(qū)動過大，損壞晶體振蕩器。該電阻的設計使作為邏輯反相器的器件在線性區(qū)工作以獲得增益。飽和區(qū)沒有增益，沒有增益不能振蕩。如果芯片中的反相器用于振蕩，則必須添加該電阻。對于CMOS，它可以超過1米。對于TTL，它更復雜，取決于不同的類型（S，LS…）。如果芯片指定。晶體振蕩器管腳，如某些微處理器中的管腳，通?？梢允÷?，因為它們是內(nèi)置在芯片內(nèi)的。
2、晶體振蕩器的串聯(lián)電阻通常用來防止晶體振蕩器被過度驅(qū)動。
晶體振蕩器過度驅(qū)動的結(jié)果是通過接觸電鍍逐漸減少晶體振蕩器的損耗，這將導致頻率的增加，并導致晶體振蕩器的早期失效，也可用于驅(qū)動電平的調(diào)整。用于調(diào)節(jié)驅(qū)動水平和振動裕度。
3、并聯(lián)降低了諧振阻抗，使諧振器易于啟動。
xin和xout通常是施密特反相器，不能驅(qū)動晶體振蕩。因此，在反相器的兩端并聯(lián)一個電阻，將輸出信號180度反饋回輸入，形成負反饋放大器電路。在晶體的電阻上，電阻與晶體的等效阻抗是平行的。并聯(lián)降低了諧振阻抗，產(chǎn)生了諧振。這個裝置很容易啟動。
電阻的作用是在電路內(nèi)部的換向器上增加一個反饋回路，形成一個放大器。當晶體在其中時，反饋回路的交流將根據(jù)晶體頻率共振。由于晶體的Q值很高，電阻在較大范圍內(nèi)的變化不會影響輸出頻率。