溫補(bǔ)晶振導(dǎo)讀：精密度、低功耗和小型化仍然是溫補(bǔ)晶體振蕩器的研究課題。在小型化和補(bǔ)丁制作方面，有許多困難，包括兩個要點：
首先，小型化會降低石英晶體振蕩器的頻率變幅，使溫補(bǔ)更加困難。
其次，在芯片封裝后的聯(lián)合操作中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶體振蕩器的最高允許溫度，晶體振蕩器的頻率會發(fā)生變化。如果不采取局部冷卻措施，溫補(bǔ)晶體振蕩器的頻率變化很難控制在（+0.5*10-6）以下。然而，溫補(bǔ)晶體振蕩器技術(shù)水平的提高還沒有達(dá)到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍然很大。
溫補(bǔ)晶振如何正確選擇呢？
下面簡要介紹溫補(bǔ)晶體振蕩器的參數(shù)。
1、頻率精度。石英晶體振蕩器的頻率與其規(guī)定的標(biāo)稱值之間的最大允許偏差不應(yīng)超過（+50），同時標(biāo)準(zhǔn)電源電壓、標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容阻抗、參考溫度（25 C）和其他條件保持不變。
2、溫度穩(wěn)定性和其他規(guī)格保持不變。石英晶體振蕩器輸出頻率在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的最大變化量與溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻率偏移量有關(guān)。
頻率調(diào)節(jié)范圍：通過調(diào)節(jié)晶體振蕩器的可變元件來改變輸出頻率的范圍。
調(diào)頻（電壓控制）特性：包括調(diào)頻偏壓、調(diào)頻靈敏度、調(diào)頻線性。
調(diào)頻偏移：控制電壓從名義最大值變化到最小值時VCO的輸出頻差。
（2）調(diào)頻靈敏度：由壓控晶體振蕩器的變化單元和施加的控制電壓引起的輸出頻率的變化。
?。?）調(diào)頻線性：與理想直線（最小二乘法）相比，它是對調(diào)制系統(tǒng)傳輸特性的測量。
負(fù)載特性：其它條件不變，晶體振蕩器輸出頻率相對于額定負(fù)載的最大允許頻偏在負(fù)載變化的規(guī)定范圍內(nèi)。
電壓特性：其它條件不變，晶體振蕩器輸出頻率在規(guī)定的電源電壓范圍內(nèi)相對于額定電源電壓的最大允許頻率偏差。
雜波：輸出信號的離散頻譜分量與主頻的功率比，除次諧波外，均為非諧波，用DBC表示。
諧波：諧波分量功率pi與載波功率p0之比用dbc表示。
頻率老化：在規(guī)定的環(huán)境條件下，系統(tǒng)漂移過程中輸出的頻率隨時間而老化的元件（主要是石英諧振器）。通常用某一時間間隔內(nèi)的頻差來測量。對于高度穩(wěn)定的晶體振蕩器，由于輸出頻率在較長的工作時間內(nèi)沿單方向近似線性漂移，因此經(jīng)常使用老化率（每單位時間的相位）。測量頻率變化。