晶振負(fù)載電容的計算公式
晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確，那么買來的晶體準(zhǔn)確度就會差。
負(fù)載電容的計算公式：晶振的負(fù)載電容=［（Cd*Cg）/（CdCg）］Cic△C。
公式說明：Cd，Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic△C一般為3至5pf，其中Cic是集成電路內(nèi)部電容，C是PCB上電容。
晶振為什么要加電容？
需要配多大電容這要根據(jù)晶振的規(guī)格和電路中的因素來確定，同是16MHZ的晶體諧振器，其負(fù)載電容值有可能不一樣，如10PF，20PF。負(fù)載電容值是在其生產(chǎn)加工過程中確定的，無法進(jìn)行改變。
晶振在電路中使用時，應(yīng)滿足CL=C+CS.
CL為規(guī)格書中晶振的負(fù)載電容值。
C為電路中外接的電容值，一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到。
CS為電路的分布電容，這和電路的設(shè)計，元器件分布等因素有關(guān)，值不確定，一般為3到5PF。所以根據(jù)以上公式就可以大概推算出應(yīng)該使用的電容值，而且這一電容值可以使晶振工作在其標(biāo)稱頻率附近。
如：我用的430的單片機(jī)，8M晶振，配的是12pF的電容，其實容量的大小沒必要多準(zhǔn)確，幾皮法到十幾皮法都可以的。
單片機(jī)中的外接晶振為什么要并上兩個電容？
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為了要滿足諧振的條件。
具體講就是：晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。不是所有晶體振蕩電路都需要匹配電容。是否需要由振蕩電路的形式?jīng)Q定，分析時需采用晶體的等效模型。
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接地
晶體旁邊的兩個電容接地，實際上就是電容三點式電路的分壓電容，接地點就是分壓點。以接地點即分壓點為參考點，振蕩引腳的輸入和輸出是反相的，但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來看，形成一個正反饋以保證電路持續(xù)振蕩當(dāng)然。
晶振的標(biāo)稱值在測試時有一個“負(fù)載電容”的條件，在工作時滿足這個條件，振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致，也就是說，只有連接合適的電容才能滿足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。
晶振分有源晶振和無源晶振。
對于有源晶振，是指自己內(nèi)部集成有振蕩電路的，加上電源后自己可以產(chǎn)生波形的，大部分都是默認(rèn)15pF負(fù)載Max的，當(dāng)負(fù)載過大時，波形可能會變形。不過也有一部分產(chǎn)品采用的是大負(fù)載的IC，負(fù)載可達(dá)50pF，這種產(chǎn)品一般要單獨訂做。
對于無源晶振，一般也叫晶體。需要有外加的電路才能起振的，所需的負(fù)載一般和使用的環(huán)境等有關(guān)，這多是由電路的設(shè)計中決定的，負(fù)載小到5pF，大到100pF以上都有。這個負(fù)載電容影響晶振的工作頻率。