晶振為什么要加電容
1、為了要滿足諧振的條件。 具體講就是：晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。不是所有晶體振蕩電路都需要匹配電容。是否需要由振蕩電路的形式?jīng)Q定，分析時(shí)需采用晶體的等效模型。
2、接地：晶體旁邊的兩個(gè)電容接地， 實(shí)際上就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容， 接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn)。 以接地點(diǎn)即分壓點(diǎn)為參考點(diǎn)， 振蕩引腳的輸入和輸出是反相的， 但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來看， 形成一個(gè)正反饋以保證電路持續(xù)振蕩
當(dāng)然，你也可以這樣理解：
晶振的標(biāo)稱值在測試時(shí)有一個(gè)“負(fù)載電容”的條件，在工作時(shí)滿足這個(gè)條件，振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致，也就是說，只有連接合適的電容才能滿足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。
晶振需要配多大電容
這要根據(jù)晶振的規(guī)格和電路中的因素來確定，同是16MHZ的晶體諧振器，其負(fù)載電容值有可能不一樣，如10PF，20PF負(fù)載電容值是在其生產(chǎn)加工過程中確定的，無法進(jìn)行改變。購買晶振時(shí)應(yīng)該能得到準(zhǔn)確的規(guī)格書。
晶振在電路中使用時(shí)，應(yīng)滿足CL=C+CS.
CL為規(guī)格書中晶振的負(fù)載電容值，C為電路中外接的電容值（一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到），CS為電路的分布電容，這和電路的設(shè)計(jì)，元器件分布等因素有關(guān)，值不確定，一般為3到5PF。
所以根據(jù)以上公式就可以大概推算出應(yīng)該使用的電容值，而且這一電容值可以使晶振工作在其標(biāo)稱頻率附近。
晶體的老化怎么辦，如何降低晶振老化率？
要制造電參數(shù)符合要求的晶體是容易的，要制造老化率小的產(chǎn)品則不容易。不只是成品工序，半成品晶片的質(zhì)量也會(huì)影響老化，可以說，老化是整個(gè)工廠工藝，制造水平的集中體現(xiàn)。
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