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       7月27日消息，“意法半導(dǎo)體中國(guó)”官方微信宣布，意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱“ST”）瑞典北雪平工廠成功制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。 200mm的碳化硅晶圓相比與150mm的碳化硅晶圓相比，可用于制造集成電路的可用面積幾乎擴(kuò)大1 倍，使得產(chǎn)量和生產(chǎn)效率可以得到極大的提升。
       碳化硅一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料來(lái)說(shuō)，碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，其擁有禁帶寬度寬、耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點(diǎn)，具有開關(guān)速度快、效率高的優(yōu)勢(shì)， 可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。目前，碳化硅半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于高壓輸變電、軌道交通、電動(dòng)汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域。需要指出的是，而碳化硅材料的生長(zhǎng)也效率非常低，并不像硅材料那樣，可以相對(duì)容易的制備出數(shù)米長(zhǎng)的晶棒。目前碳化硅生長(zhǎng)出來(lái)體積也相對(duì)比較小，所以大多數(shù)情況下都只能制備成直徑100mm或150mm晶圓。而且，碳化硅屬于硬度非常高（碳化硅單晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，僅僅比金剛石的硬度低0.5左右）的脆性材料，因此，碳化硅晶圓的制備損耗非常高（通常損耗高達(dá)三分之二），良率也比較低。