SiT8920是一款專注超寬溫、惡劣環(huán)境下的堅固可靠的單端MEMS抗沖擊寬溫晶振。SIT8920其獨特的硅MEMS和模擬電路設計，在多個主要性能指標超越石英晶振。雖然是在-55°至+125°的寬廣溫度范圍內工作，但SiT8920的功耗為石英晶振的一半，穩(wěn)定性卻是后者的兩倍。SiT8920在總體器件可靠性、抗沖擊和振動性能方面，更分別提高了20倍和30倍。
SiT8920抗沖擊、寬溫晶振具有0.1 ppb/g振動靈敏度（g靈敏度），50000g沖擊和70g抗振動和5億小時MTBF。此外，SIT8920還提供了高頻（高達110 MHz）、最佳頻率穩(wěn)定性（±20 ppm）、軍工溫度范圍（-55°C至125°C）和小封裝（2.0 x 1.6 mmxmm）的完美組合，這是石英晶振無法實現(xiàn)的。SiT8920抗沖擊寬溫晶振集成了SiTime獨特的SoftEdge 上升/下降時間控制，可在無需額外電路元件、增加昂貴的屏蔽罩、或重新設計PCB的前提下降低系統(tǒng)EMI。
選型參數(shù)：
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頻率范圍
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1MHz - 110MHz，可精確到小數(shù)點后6位
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頻率穩(wěn)定性(ppm)
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±20，±25，±30，±50
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相位抖動(ps)
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1.3ps
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輸出類型
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LVCMOS
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工作溫度范圍(℃)
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-55 ~ +125
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上升/下降時間(ns)
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可配置，降低EMI
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工作電壓(V)
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1.8 ~ 3.3
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封裝尺寸(mm2)
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2.0x1.6，2.5x2.0，3.2x2.5，5.0x3.2，7.0x5.0
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特點
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-55℃ ~ +125℃，可編程制程任意參數(shù)自由組合
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SiT8920抗沖擊、寬溫晶振大大地提高了系統(tǒng)性能，減少電子產品在惡劣環(huán)境中的故障，成為機車控制，油田、礦山、航天軍工等惡劣工況電子控制的首選時鐘源。