SiTime 硅晶體采用全硅較技術(shù)，采用兩個芯片堆疊，頂部采用CMOS PLL驅(qū)動芯片，頂部采用較諧振器，采用標準QFN IC封裝。封裝尺寸和焊針與傳統(tǒng)標準石英振蕩器的占位面積完全兼容，可直接替換原始石英產(chǎn)品而無需改變?nèi)魏卧O計。
SiTime 硅晶體振蕩器具有無溫漂，高穩(wěn)定性和低成本的優(yōu)點。它基本上克服了石英的許多缺點，更符合現(xiàn)代電子學的發(fā)展方向。 SiTime公司依靠德國BOSH公司30年成熟的較時鐘技術(shù)，率先推出較全硅晶體。現(xiàn)在它已經(jīng)成功開發(fā)了包括TCXO和OCXO在內(nèi)的三代產(chǎn)品，其開發(fā)速度和性能都要高得多。在同行業(yè)中的制造商。
SiTime 硅晶振的優(yōu)點
事實上，它相當于SiTime對石英晶體的全面硅化，將其轉(zhuǎn)化為芯片。 SiTime的硅晶體采用全自動半導體制造工藝。天然硅僅次于氧，第二種硅是生產(chǎn)材料。讓高性能和低成本成為“魚和熊掌，你們兩個都可以！”
SiTime 硅晶體頂部和底部疊加兩個晶圓，外部IC采用普通塑料封裝。不僅大大減少了石英晶體的數(shù)量，還提高了產(chǎn)品性能。
SiTime 硅晶體是全自動半導體工藝并且是封裝的。疊加硅片和CMOS晶片的技術(shù)。這使得SiTime 硅晶體可以在世界上任何一家較大的晶圓廠生產(chǎn)，與石英晶體不同，石英晶體必須能夠增加產(chǎn)能。這將使SiTime 硅晶體振蕩器的成本在未來有很大的下降空間。
SiTime硅晶體振蕩器的優(yōu)點：
·體積小，整個溫度范圍內(nèi)無溫度漂移，抗震性能高，耐沖擊，產(chǎn)品一致性好，永不停止振動;
·1-625MHz任意頻率，有源晶體振蕩器一站式包裝服務;
·采用國際標準封裝，無需更改PCB布局即可直接升級升級。
·終身保修和快速樣品測試。