晶振采用各種封裝，并具有多種電氣性能規(guī)格。有幾種不同的類型：電壓控制晶振（VCXO），溫度補(bǔ)償晶振（TCXO），恒溫晶振（OCXO ）和數(shù)字補(bǔ)償晶振（MCXO或DTCXO），每種類型都有其獨(dú)特的功能。如果需要準(zhǔn)備使用該設(shè)備，則必須使用VCXO或溫度補(bǔ)償?shù)木w。如果所需的穩(wěn)定性高于0.5ppm，則需要選擇數(shù)字溫度補(bǔ)償晶振（MCXO）。模擬溫度補(bǔ)償晶振適合要求穩(wěn)定性在5 ppm至0.5 ppm之間的應(yīng)用。VCXO僅適用于穩(wěn)定性要求低于5ppm的產(chǎn)品。在不需要開(kāi)箱即用的環(huán)境中，如果信號(hào)穩(wěn)定性超過(guò)0.1 ppm，則可以使用OCXO。
晶振輸出：
必須考慮的其他參數(shù)是輸出類型，相位噪聲，抖動(dòng)，電壓特性，負(fù)載特性，功耗和封裝形式。對(duì)于工業(yè)產(chǎn)品，有時(shí)會(huì)考慮沖擊和振動(dòng)以及電磁干擾（EMI）參數(shù)。晶振為HCMOS / TTL兼容，ACMOS兼容，ECL和正弦波輸出。每種輸出類型都有其獨(dú)特的波形特征和用途。應(yīng)注意三態(tài)或互補(bǔ)輸出的要求。還為某些應(yīng)用指定了對(duì)稱性，上升和下降時(shí)間以及邏輯電平。許多DSP和通信芯片組通常要求緊密的對(duì)稱性（45％至55％）以及快速的上升和下降時(shí)間（小于5 ns）。相位噪聲和抖動(dòng)：在頻域測(cè)量中獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定性的真實(shí)度量。它測(cè)量的中心頻率最高為1 Hz，通常為1 MHz。晶振的相位噪聲在遠(yuǎn)離中心頻率的頻率處得到改善。TCXO和OCXO晶振，以及其他使用基本或諧波方法的晶振，具有最佳的相位噪聲性能。與使用非鎖相環(huán)技術(shù)的晶振相比，使用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的晶振通常表現(xiàn)出較差的相位噪聲性能。
抖動(dòng)與相位噪聲有關(guān)，但它是在時(shí)域中測(cè)量的?？梢杂糜行е祷蚍宸逯禍y(cè)量以微秒為單位的抖動(dòng)。許多應(yīng)用程序，例如通信網(wǎng)絡(luò)，無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸，ATM和SONET要求，必須滿足嚴(yán)格的飽和規(guī)范。務(wù)必密切注意這些系統(tǒng)中使用的晶振的抖動(dòng)和相位噪聲特性。
晶振功率和負(fù)載影響：
晶振的頻率穩(wěn)定性還受到晶振電源電壓變化和晶振負(fù)載變化的影響。正確選擇晶振可使這些影響最小化。設(shè)計(jì)人員應(yīng)在推薦的電源電壓容差和負(fù)載下驗(yàn)證晶振的性能。在驅(qū)動(dòng)50pF時(shí)，預(yù)期僅能額定為15pF的晶振會(huì)表現(xiàn)良好。在高于推薦電源電壓的條件下工作的晶振也將顯示較差的波形和穩(wěn)定性。對(duì)于需要電池供電的設(shè)備，請(qǐng)務(wù)必考慮功耗。引入3.3V產(chǎn)品勢(shì)必會(huì)開(kāi)發(fā)出以3.3V工作的晶振。較低的電壓可使產(chǎn)品在低功率下運(yùn)行。大多數(shù)市售的貼片晶振工作在3.3V電壓下。