一、由于對(duì)印刷電路板進(jìn)行熱測(cè)試，晶體振蕩器晶體不工作或頻率變化。
1、取下晶體，測(cè)試其頻率和電阻，以確定石英晶體振蕩是否振蕩，并使用熱測(cè)試儀來滿足規(guī)范要求。您也可以將其發(fā)送給晶體供應(yīng)商進(jìn)行測(cè)試。（熱試驗(yàn)點(diǎn)應(yīng)至少相隔10個(gè)\/1個(gè)試驗(yàn)點(diǎn)）
2、如果在工作溫度范圍內(nèi)電阻和頻率超過規(guī)格，請(qǐng)將晶體送廠家進(jìn)行質(zhì)量分析和進(jìn)一步改進(jìn)。
3、當(dāng)晶體通過熱測(cè)試時(shí)，請(qǐng)檢查振蕩電路和其他元件的特性，如外部電容器的溫度特性、芯片電路的溫度特性等。
二、石英晶體安裝在印刷電路板上時(shí)不會(huì)振動(dòng)。
1、用示波器或頻率計(jì)測(cè)量晶體兩端的信號(hào)。如果頻率和負(fù)載電容符合您的規(guī)格，并且晶體通過DLD測(cè)試，我們將需要等效電路測(cè)試。當(dāng)信號(hào)輸出信號(hào)小而波形幅度小時(shí)，用示波器或頻率計(jì)測(cè)量晶體兩端的信號(hào)。如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率，則使用cl lower。晶體，反之亦然。
2、請(qǐng)取出晶體并測(cè)試其頻率和負(fù)載電容，以確定它們是否會(huì)振動(dòng)，使用專業(yè)的測(cè)試機(jī)器并符合您的規(guī)格。您也可以將它們發(fā)送給供應(yīng)商進(jìn)行測(cè)試。
3、如果出現(xiàn)以下情況，如晶體振動(dòng)、負(fù)載電容不符合您的要求，或當(dāng)前頻率與目標(biāo)頻率之間存在巨大差距，請(qǐng)將晶體送至您的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析。
4、如果頻率和負(fù)載電容符合您的規(guī)格，石英晶體通過DLD測(cè)試，我們將需要等效電路測(cè)試。
如果晶體的參數(shù)正常，但在振蕩電路中工作不穩(wěn)定，則必須查明IC的電阻值是否太低而不能驅(qū)動(dòng)電路。
5、如果晶體振蕩器未通過DLD測(cè)試，請(qǐng)將其發(fā)送給您的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析，以便進(jìn)一步改進(jìn)。
三、當(dāng)晶體安裝在印刷電路板上時(shí)，晶體頻率隨時(shí)間的分布過寬或頻率受雜散電容的影響較大。
該曲線表示電容和頻率的變化（頻率變化）
除外部電路調(diào)整外，晶體參數(shù)的特性也影響頻率牽引范圍。參考參數(shù)為微調(diào)靈敏度（ts）、c0/c1（r）、c1、c0等，各參數(shù)與頻率可拔性的關(guān)系如下：c0'，c1a'，c0/c1（r）？“，ts”，可拉伸性
1、根據(jù)上述石英晶體的拉伸能力曲線，電容越小，對(duì)頻率變化的影響越大。如果頻率分布太寬，請(qǐng)遵循以下方法：
a.增加cd和cg的電容值，使用負(fù)載電容（cl）較大的晶體振蕩器晶體。
b.CD和CG使用更復(fù)雜的電容器（電容變化非常?。?。
c.使用更復(fù)雜的晶體（頻率變化小）。
方法（a）和方法（b）是有效的和具有成本效益的。
2、此外，如果由于印刷電路板的雜頻率分布不散電容導(dǎo)致能滿足規(guī)范要求，則可能需要基于雜散電容源的新布局。
標(biāo)簽：
外部晶振由哪些構(gòu)成 外部晶振外部振蕩器 無繩電話晶振作用 溫度晶振精確度 溫度補(bǔ)償晶振tcxo 溫補(bǔ)晶振應(yīng)用